1. Navitas GaNSense Kontrol IC'lerini piyasaya sürüyor
Galyum nitrür (GaN) güç IC ve silikon karbür (SiC) teknoloji firması Navitas Semiconductor of Torrance, CA, ABD, benzeri görülmemiş performans ve entegrasyon seviyeleri olduğunu iddia ettiği şeyi sunan bir GaNSense Kontrol IC'leri ailesi başlattı.
Güç sistemleri, Navitas'ın geliştirdiği ve ilk GaNSense kontrol IC teknolojisini oluşturmak için yüksek performanslı GaN IC'leriyle entegre ettiği optimize edilmiş, yüksek hızlı, düşük voltajlı (LV) bir silikon sistem denetleyicisi gerektirir.
GaNSense Control'ün ilk serisi, QR, DCM (süreksiz iletim modu), CCM (sürekli iletim modu) ve 225kHz'e kadar frekanslara sahip çoklu frekanslı, hibrit modlu işlemleri destekleyen yüksek frekanslı yarı rezonans (HFQR) flyback'lere sahiptir. Seri, maksimum tasarımcı esnekliği için tek bir yüzeye monte QFN paketinde (NV695x serisi) veya yonga seti olarak (NV9510x + NV61xx) sağlanır. İkincil tarafta, entegre senkron doğrultucu (SR) güç IC'leri (NV97xx), geleneksel doğrultuculara kıyasla her türlü yük koşulunda maksimum verimlilik sağlar.
Kaynak: Navitas GaNSense Kontrol IC'lerini piyasaya sürüyor (semiconductor-today.com)
2. ST, VIPerGaN güç dönüştürücü aralığını 65W ve 100W'a genişletiyor
İsviçre'nin Cenevre kentindeki STMicroelectronics, 100W ve 65W'a kadar tek anahtarlı yarı rezonans (QR) flyback dönüştürücüler için VIPerGaN100 ve VIPerGaN65'i ekleyerek yüksek voltajlı geniş bant aralıklı güç dönüştürücü ailesini genişletti. Kompakt ve son derece entegre tasarım, USB-PD şarj cihazları, ev aletleri, akıllı bina kontrolörleri, aydınlatma, klima, akıllı ölçüm ve diğer endüstriyel uygulamalar için anahtarlamalı mod güç kaynaklarını (SMPS) hedefler.
Her cihaz bir darbe genişliği modülasyonu (PWM) kontrolörü ve 650V geliştirme modu galyum nitrür (GaN) güç transistörünü entegre eder ve standart bir optokuplör kullanarak ikincil taraf düzenlemesine izin verir. 5mm x 6mm QFN paketinde yer alan küçük ayak izi ve gelişmiş entegrasyon, üstün güç yoğunluğu sağlar ve malzeme listesi (BoM) maliyetlerinden tasarruf sağlar. Ayrıca, geniş bant aralıklı transistör teknolojisi enerji verimliliğini artırır ve termal yönetimi basitleştirir.
Gelişmiş güç yönetimi ve düşük sessiz akım ile dönüştürücüler, uyarlanabilir seri çekim modunda çalışan 30mW'tan daha az bekleme gücü tüketir. Her biri, anahtarlama kayıplarını azaltmak ve tüm giriş hattı ve yük koşullarında verimliliği en üst düzeye çıkarmak için dinamik boşluk süresi ve vadi senkronizasyonu ile yarı-rezonans modunda çalışır. ST, bunun enerji kullanımını azaltmaya yardımcı olduğunu, küresel enerji tasarrufunu ve net sıfır karbon emisyonunu hedefleyen eko-tasarım kodlarının karşılanmasına yardımcı olduğunu söylüyor.
Kaynak: ST, VIPerGaN güç dönüştürücü aralığını 65W ve 100W'a genişletiyor (semiconductor-today.com)
3. Yarı iletken endüstrisinde yatırım patlaması. Exyte, Çek Cumhuriyeti'ndeki mühendislik ve üretim kapasitelerini genişletiyor
Şirket, Bilina yakınlarındaki Hostomice'de ve Zatec'te yeni üretim tesisleri kurdu. Exyte'nin yan kuruluşu Exyte Technology, önümüzdeki iki yıl içinde 200'e kadar yeni, nitelikli iş yaratacak. Bu, Exyte'nin mevcut işgücünü neredeyse dört katına çıkaracağı anlamına geliyor. Exyte, bu genişlemeye 20 milyon Euro'dan fazla yatırım yapıyor.
Exyte'nin ürün ve hizmetleri yüksek talep görmektedir. Krupka'daki Teplice yakınlarındaki mevcut konumdaki alan sınırındadır. Exyte'nin yan kuruluşu Exyte Technology, Almanya sınırından yaklaşık 50 km uzaklıktaki Hostomice sanayi bölgesinde ikinci bir tesis açtı. Hostomice'de şirket temiz oda ortamları için ürünler üretmektedir. Ürünler, başta Avrupa olmak üzere yarı iletken tesislerinin yapımında kullanılmaktadır. Kullanılabilir alan neredeyse 6.500m²'dir. Exyte, yeni lokasyonda yaklaşık 70 iş yaratacak.
Exyte, Çek Cumhuriyeti'nin kuzeybatısındaki Zatec'teki üçgen sanayi bölgesinde üçüncü bir üretim tesisi açacak. Exyte Group'a ait ABD şirketi Fab-Tech, 2023 yazında orada yeni bir üretim tesisine taşınacak. Şirket, yarı iletken endüstrisi için patentli mühendislik ürünlerini 9.000 m²'den fazla bir alanda üretecek. Üretimin 2023 sonbaharında başlaması bekleniyor. Yeni lokasyonda 130'a kadar yeni iş yaratılacak.
Kaynak: Yarı iletken endüstrisinde yatırım patlaması (electronicspecifier.com)
4. Tayvan çip yapım endüstrisinin karşılaştığı en önemli sorun yetenek sıkıntısı: Uzman
Tayvan'ın yarı iletken endüstrisi, ileriye dönük teknolojilere yönelik daha fazla araştırma yapma ihtiyacından yetenek eksikliğine kadar birçok zorlukla karşı karşıya, bir endüstri yöneticisi Çarşamba günü yaptığı açıklamada.
İleriye dönük yarı iletken araştırmalarını ilerletmek ve ilgili yetenekleri beslemek, endüstri, hükümet ve akademi tarafından uzun vadeli ortak çaba gerektirir, diyor dünyanın en büyük dökümhanesi olan Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.'da (TSMC) Kurumsal Araştırma Direktörü Chang Meng-fan.
Chang, Hsinchu'daki Ulusal Bilim ve Teknoloji Konseyi (NSTC) tarafından düzenlenen yarı iletken forumunda yaptığı konuşmada zorlukları özetledi.
FinFET (yüzgeç alan etkili transistör) teknolojisinin çip üreticileri tarafından gelişmiş mikroişlemciler geliştirmek için on yıldan fazla bir süredir kullanıldığını belirten Chang, nanosheet'in FinFET'in performans sınırlamalarının ötesine geçmeyi vaat eden bir sonraki umut verici teknoloji olduğunu söyledi.
Gelecekte, büyük potansiyele sahip gelecekteki bir transistör tipi olan tamamlayıcı alan etkili transistörler (CFET), 3 nanometre teknolojisini aşıyor; Chang'a göre, karbon nanotüpleri, karbon atomlarından oluşan nano ölçekli içi boş tüpler de geliştirilebilir.
Kaynak: Tayvan çip yapım endüstrisinin karşılaştığı en önemli sorun yetenek sıkıntısı: Uzman - Focus Taiwan
