1. Tata Projects, Micron'un Sanand'daki gelişmiş yarı iletken tesisini inşa edecek
Tata Projects Cumartesi günü Sanand, Gujarat'ta gelişmiş bir yarı iletken montaj ve test tesisi inşa etmek için Micron Technology ile işbirliğini duyurdu.
Şirketten yapılan açıklamada, Tata Projects'e verilen sözleşmenin şirketin Hindistan üretim alanında büyük ölçekli, sürdürülebilir altyapı geliştirme konusundaki yeterliliğini sağlamlaştırdığı belirtildi.
Chaarodi, Sanand'ın Gujarat Endüstriyel Kalkınma Şirketi bölgesinde yer alan açıklamaya göre, proje 93 dönümlük geniş bir araziye yayılıyor.
"Bu kalıcı proje önemli bir kilometre taşı ve Hindistan Yarı İletken Misyonu (ISM) kapsamındaki en büyük yatırımdır" denilen açıklamada, Faz 1'in inşasının 500'ün sonlarına doğru faaliyete geçmesi planlanan 000.2024 metrekarelik bir temiz oda alanı içereceği belirtildi.
Açıklamada, projenin Hindistan'da türünün ilk örneği olan DRAM (dinamik rastgele erişimli bellek) ve NAND (uçucu olmayan flash bellek) montaj ve test tesisinin tasarımını ve inşasını kapsadığı belirtildi.
Tata Projects, 4D BIM ve hibrit modüler hızlandırılmış inşaat yoluyla entegre EPC dağıtımını içeren modern inşaat yöntem ve tekniklerini kullanmayı hedefliyor.
Açıklamaya göre, Sanand fabrikası Yeşil Bina Konseyi'nin LEED Altın Standartlarına uygun olarak tasarlanacak ve gelişmiş su tasarrufu teknolojilerini de entegre edecek.
Kaynak: Tata Projects to construct Micron's advanced semiconductor plant in Sanand (business-standard.com)
2. Hindistan Bilim Enstitüsü tamamen yerli GaN güç anahtarı geliştiriyor
Bengaluru'daki Hindistan Bilim Enstitüsü (IISc), elektrikli araçlar ve dizüstü bilgisayarlar için güç dönüştürücüler gibi sistemlerde ve kablosuz iletişimde (Baby R, Mandal M, Roy SK, Bardhan A, Muralidharan R, Basu K, Raghavan S, Nath DN, '8A, 200V normalde kapalı kaskod GaN-on-Si HEMT: Epitaksiden çift nabız testine', Mikroelektronik Mühendisliği (2023)). Malzeme büyümesinden cihaz üretimine ve paketlemeye kadar anahtarı oluşturma sürecinin tamamı, IISc'nin Nano Bilim ve Mühendislik Merkezi'nde (CeNSE) şirket içinde geliştirildi.
"Malzeme ve cihazlar ağır ithalat kısıtlamalı... Hindistan'da henüz ticari ölçekte galyum nitrür wafer üretim kapasitesine sahip değiliz, "diyor makalenin sorumlu yazarı CeNSE doçenti Digbijoy Nath. "Bu cihazların üretilmesinin know-how'ı da yoğun bir şekilde korunan bir sırdır ve ilgili süreçlerin ayrıntıları hakkında az sayıda çalışma yayınlanmıştır" diye ekliyor.
GaN güç anahtarını tasarlamak için IISc ekibi, CeNSE profesörü Srinivasan Raghavan'ın laboratuvarındaki araştırmacılar tarafından on yıldan fazla bir süredir geliştirilen ve optimize edilen bir metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniği kullandı. Ekibe, Elektrik Mühendisliği Bölümü doçenti Kaushik Basu ve laboratuvarı, bu transistörleri kullanarak bir elektrik devresi üretme ve anahtarlama performanslarını test etme konusunda yardımcı oldu.
GaN transistörleri tipik olarak tükenme modunda çalışır – kapatmak için negatif bir voltaj uygulanmadıkça normalde açıktırlar. Ancak şarj cihazlarında ve adaptörlerde kullanılan güç anahtarlarının, geliştirme modunda, yani normalde kapalı ve akım taşımayan ve yalnızca pozitif bir voltaj uygulandığında açılan diğer şekilde çalışması gerekir. Bunu başarmak için ekip, cihazı normal şekilde kapalı tutmak için GaN transistörünü ticari olarak temin edilebilen bir silikon transistör ile birleştirdi.
"Cihazın ambalajı da yerli olarak geliştirildi," diye açıklıyor makalenin ilk yazarı CeNSE doktora öğrencisi Rijo Baby. Paketleme ve testlerden sonra ekip, cihaz performansının ticari olarak temin edilebilen son teknoloji ürünü anahtarlarla karşılaştırılabilir olduğunu ve açma ve kapama işlemi arasında yaklaşık 50 ns'lik bir anahtarlama süresi olduğunu buldu.
İleriye dönük olarak, araştırmacılar cihaz boyutlarını yüksek akımlarda çalışabilmesi için ölçeklendirmeyi planlıyorlar. Ayrıca, voltajları artırabilen veya azaltabilen bir güç dönüştürücüsü tasarlamayı planlıyorlar.
"Hindistan'daki stratejik organizasyonlara bakarsanız, GaN transistörlerini tedarik etmekte zorlanıyorlar... Onları belirli bir miktarın veya güç / frekans derecesinin ötesine ithal etmek imkansızdır "diyor Nath. "Bu aslında yerli GaN teknoloji gelişiminin bir göstergesidir."
Çalışma, NNETRA aracılığıyla MeitY &; DST Nano Mission, NIEIN aracılığıyla MoE (MHRD) ve SCL / ISRO tarafından finanse edilmektedir.
Kaynak: Hindistan Bilim Enstitüsü tamamen yerli GaN güç anahtarı geliştiriyor (semiconductor-today.com)
3. Japonya, Micron'un Hiroşima çip fabrikası için 1,2 milyar dolarlık sübvansiyon tahsis etti
Tokyo, tedarik zincirlerini desteklemek için ABD'li çip üreticisine finansal desteği artırıyor.
Japonya Ekonomi, Ticaret ve Sanayi Bakanlığı, ABD'li çip üreticisi Micron Technology'nin Hiroşima vilayetindeki çalışmaları için 192 milyar yen'e (1,29 milyar dolar) kadar sübvansiyon ayırıyor, Nikkei, yerel yarı iletken tedarik zincirlerini desteklemek için bir hamle yaptığını öğrendi.
Micron, Higashihiroshima City'deki fabrikasında inşa edilecek yeni üretim hatlarında 2026 yılına kadar gelişmiş DRAM bellek yongalarını seri üretmeyi hedefliyor.
Sermaye yatırımının bir parçası olarak, ABD'li çip üreticisi, yarı iletkenlerin ince devrelerini şekillendirmek için gerekli olan aşırı ultraviyole (EUV) maruz kalma ekipmanı kurmayı planlıyor. Micron, Hiroşima da dahil olmak üzere Japonya'ya toplam yaklaşık 500 milyar yen yatırım yapma planını açıkladı.
Bakanlık, Hiroşima fabrikası için yaklaşık 46,5 milyar yen'e kadar bir sübvansiyon kararı almıştı. Son teknoloji bellek yongaları için yerli tedarik zincirlerine sahip olmanın ekonomik güvenlik açısından önemi göz önüne alındığında, Micron'a olan desteğini daha da güçlendirmeye karar verdi.
Bakanlık, çiple ilgili yatırım sübvansiyonları için iki yıl boyunca 2 trilyon yen'lik daha geniş bir bütçe ayıracak.
Bakanlık ayrıca, Tayvanlı çip üreticisi TSMC'nin Kumamoto eyaletindeki bir fabrikası için 476 milyar yen'e kadar bir sübvansiyon ve Japon çip üreticisi Kioxia ve ABD'li sabit disk üreticisi Western Digital'in işbirliği ile işletilen Mie eyaletindeki bir fabrika için 92,9 milyar yen'e kadar bir sübvansiyon tahsis etti.
